Name: IPT020N10N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND
Price: 156.8 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IPT020N10N5ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IPT020N10N5ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IPT020N10N5ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IPT020N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IPT020N10N5ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	31 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IPT020N10N5ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.8V @ 202µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 152 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 5	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 11000 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 273W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HSOF-8-1
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 31A (Ta), 260A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IPT020
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2mOhm @ 150A, 10V