FCPF165N65S3L1 onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FCPF165N65S3L1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	FCPF165N65S3L1-ND
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FCPF165N65S3L1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 19A (Tc) 35W (Tc) ทรูโฮล TO-220F-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	onsemi
ชุด	SuperFET® III
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	19A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 1.9mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1415 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	35W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220F-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3 ชุดเต็ม
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FCPF165