DO-213AB
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
DO-213AB
DO-213AB
DO-213AB, MELF Series

BYM12-400HE3/97

หมายเลขผลิตภัณฑ์ Digi-Key
BYM12-400HE3/97-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
BYM12-400HE3/97
คำอธิบาย
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
คำอธิบายโดยละเอียด
ไดโอด มาตรฐาน 400 V 1A ติดบนพื้นผิว DO-213AB
การอ้างอิงของลูกค้า
เอกสารข้อมูล เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือก
หมวดหมู่
Mfr
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด
SUPERECTIFIER®
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภทไดโอด
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)
400 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)
1A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If
1.25 V @ 1 A
ความเร็ว
คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)
50 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr
5 µA @ 400 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F
14pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส
DO-213AB, MELF (แก้ว)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
DO-213AB
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน
-65°C ~ 175°C
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
BYM12
เอกสารและสื่อ
ประเภทแหล่งข้อมูลลิงค์
เอกสารข้อมูลBYM12-zzz, EGL41(A,B,C,D,F,G)
เอกสารอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องPackaging Information
PCN การเปลี่ยนแปลงสถานะชิ้นส่วนMult Dev Wafer Conversion 14/Aug/2017
ข้อมูลแบบ HTMLBYM12-zzz, EGL41(A,B,C,D,F,G)
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คุณลักษณะคำอธิบาย
สถานะ RoHSเป็นไปตามข้อกำหนด ROSH3
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)1 (ไม่จำกัด)
เข้าถึงสถานะไม่สามารถเข้าถึงได้
รหัส ECCNEAR99
รหัส HTSUS8541.10.0080
บรรจุภัณฑ์ที่ทดแทนได้
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
คุณลักษณะคำอธิบาย
บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน5,000
ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ผู้ผลิต จำนวนที่มีอยู่หมายเลขผลิตภัณฑ์ Digi-Keyราคาต่อหน่วย ประเภทสินค้าทดแทน
1N5616USMicrochip Technology1391N5616US-ND฿237.48000Similar
1N5617USMicrochip Technology1771N5617US-ND฿224.76000Similar