EGL41DHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

EGL41DHE3_B/I
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	112-EGL41DHE3_B/ITR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	EGL41DHE3_B/I
คำอธิบาย	DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 200 V 1A ติดบนพื้นผิว DO-213AB
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	Superectifier®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	200 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	1A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1 V @ 1 A
ความเร็ว	คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	50 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	5 µA @ 200 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	20pF @ 4V, 1MHz
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DO-213AB, MELF (แก้ว)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DO-213AB
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-65°C ~ 175°C