SS33HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SS33HE3_A/H
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SS33HE3_A/H-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SS33HE3_A/H
คำอธิบาย	DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 30 V 3A ติดบนพื้นผิว DO-214AB (SMC)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
เทคโนโลยี	Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	3A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	500 mV @ 3 A
ความเร็ว	คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	500 µA @ 30 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	-
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DO-214AB, SMC
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DO-214AB (SMC)
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 125°C
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SS33