U1B-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

U1B-M3/5AT
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	U1B-M3/5AT-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	U1B-M3/5AT
คำอธิบาย	DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 100 V 1A ติดบนพื้นผิว DO-214AC (SMA)

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	1A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	920 mV @ 1 A
ความเร็ว	คืนสภาพเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	15 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	5 µA @ 100 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	6.8pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	DO-214AC, SMA
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 150°C
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	U1B