IGBT

IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบหลายชั้นที่มีสามขั้วที่สามารถรองรับกระแสสูงและมีคุณสมบัติการสลับที่รวดเร็ว มีลักษณะเฉพาะตามประเภท แรงดันพังทลายของคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์ กระแสของคอลเลคเตอร์ กระแสคอลเลคเตอร์แบบพัลซิ่ง VCE(ON) พลังงานสวิตชิ่ง และค่าเกต