CDBJSC101200-G Comchip Technology | ไดโอดเดี่ยว

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Comchip Technology
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide) Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	10A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1.7 V @ 10 A
ความเร็ว	เวลาการฟื้นตัวเป็นศูนย์ > 500mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	0 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	100 µA @ 1200 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	780pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-2
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220-2
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 175°C
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	CDBJSC101200

CDBJSC101200-G