Name: DMN2005UPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2005UPS-13DITR-ND
Price: 47.85 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 20 V 20A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว PowerDI5060-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMN2005UPS-13
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	DMN2005UPS-13DITR-ND - เทปและม้วน (TR) DMN2005UPS-13DICT-ND - เทปตัดขาย (CT) DMN2005UPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMN2005UPS-13
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 20A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta) ติดบนพื้นผิว PowerDI5060-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Ta), 100A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	142 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5337 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PowerDI5060-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMN2005