Name: DMP2010UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2010UFG-13-ND
Price: 10.05129 THB
Availability: OutOfStock

DMP2010UFG-13 มีจัดจำหน่ายแต่โดยปกติแล้วจะไม่มีสต็อก

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

เทียบเท่าพาราเมตริก

DMP2010UFG-7

Diodes Incorporated

มีอยู่ในสต็อค: 83

ราคาต่อหน่วย : ฿43.32000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

P-ช่องสัญญาณ 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) ติดบนพื้นผิว POWERDI3333-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMP2010UFG-13
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	DMP2010UFG-13-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMP2010UFG-13
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 12.7A (Ta), 42A (Tc) 900mW (Ta) ติดบนพื้นผิว POWERDI3333-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	12.7A (Ta), 42A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3350 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	900mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	POWERDI3333-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMP2010