Name: DMP25H18DLFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP25H18DLFDE-7DITR-ND
Price: 69.19 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 250 V 260mA (Ta) 600mW (Ta) ติดบนพื้นผิว U-DFN2020-6 (Type E)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMP25H18DLFDE-7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	DMP25H18DLFDE-7DITR-ND - เทปและม้วน (TR) DMP25H18DLFDE-7DICT-ND - เทปตัดขาย (CT) DMP25H18DLFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMP25H18DLFDE-7
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 250 V 260mA (Ta) 600mW (Ta) ติดบนพื้นผิว U-DFN2020-6 (Type E)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	250 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	260mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	3.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	14Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2.8 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±40V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	81 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	600mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	U-DFN2020-6 (Type E)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-PowerUDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMP25