DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

DMP58D0LFB-7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	DMP58D0LFB-7DITR-ND - เทปและม้วน (TR) DMP58D0LFB-7DICT-ND - เทปตัดขาย (CT)
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMP58D0LFB-7
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 50 V 180mA (Ta) 470mW (Ta) ติดบนพื้นผิว X1-DFN1006-3
โมเดล EDA/CAD	DMP58D0LFB-7 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	50 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	8Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.1V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	27 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	470mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	X1-DFN1006-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	3-UFDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMP58