Name: DMT12H065LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H065LFDF-7TR-ND
Price: 44.29 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 115 V 4.3A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว U-DFN2020-6 (Type F)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMT12H065LFDF-7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	31-DMT12H065LFDF-7TR-ND - เทปและม้วน (TR) 31-DMT12H065LFDF-7CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 31-DMT12H065LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMT12H065LFDF-7
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 115 V 4.3A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว U-DFN2020-6 (Type F)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	115 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4.3A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	3V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.2V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	5.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	252 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	U-DFN2020-6 (Type F)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-UDFN แผ่นสัมผัส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMT12