Name: DMT15H053SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT15H053SSS-13TR-ND
Price: 35.24 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 150 V 5.2A (Ta), 15A (Tc) 1.3W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMT15H053SSS-13
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	31-DMT15H053SSS-13TR-ND - เทปและม้วน (TR) 31-DMT15H053SSS-13CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 31-DMT15H053SSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMT15H053SSS-13
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 5.2A (Ta), 15A (Tc) 1.3W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	150 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5.2A (Ta), 15A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	53mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	814 pF @ 75 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.3W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SO
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMT15