Name: DMTH10H009LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND
Price: 17.26519 THB
Availability: OutOfStock

DMTH10H009LFGQ-7 มีจัดจำหน่ายแต่โดยปกติแล้วจะไม่มีสต็อก

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

เทียบเท่าพาราเมตริก

DMTH10H009LFGQ-13

Diodes Incorporated

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿16.52860

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

N-ช่องสัญญาณ 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว POWERDI3333-8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMTH10H009LFGQ-7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	31-DMTH10H009LFGQ-7TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMTH10H009LFGQ-7
คำอธิบาย	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 12A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว POWERDI3333-8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	12A (Ta), 46A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2361 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	POWERDI3333-8
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN