Name: DMTH10H010LCTB-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H010LCTB-13TR-ND
Price: 75.98 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DMTH10H010LCTB-13
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	31-DMTH10H010LCTB-13TR-ND - เทปและม้วน (TR) 31-DMTH10H010LCTB-13CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 31-DMTH10H010LCTB-13DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DMTH10H010LCTB-13
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	DMTH10H010LCTB-13 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	108A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	53.7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2592 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.4W (Ta), 166W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	DMTH10