Name: ZXMHC3A01N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3A01N8DITR-ND
Price: 56.25 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 30V 2.17A, 1.64A 870mW ติดบนพื้นผิว 8-SO

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

ZXMHC3A01N8TC
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ZXMHC3A01N8DITR-ND - เทปและม้วน (TR) ZXMHC3A01N8DICT-ND - เทปตัดขาย (CT) ZXMHC3A01N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diodes Incorporated
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	ZXMHC3A01N8TC
คำอธิบาย	MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	40 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 30V 2.17A, 1.64A 870mW ติดบนพื้นผิว 8-SO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 250µA
ผู้ผลิต Diodes Incorporated	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 3.9nC @ 10V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 190pF @ 25V, 204pF @ 15V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	พลังงาน - สูงสุด 870mW
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
การตั้งค่า 2 N และ 2 P-Channel (ฟูลบริดจ์)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
คุณสมบัติของ FET เกทระดับลอจิก	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SO
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.17A, 1.64A	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน ZXMHC3A01
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 10V