Name: DI050N04BPT-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI050N04BPT-AQTR-ND
Price: 24.57 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 40 V 50A (Tc) 35.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-QFN (3x3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DI050N04BPT-AQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	4878-DI050N04BPT-AQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 4878-DI050N04BPT-AQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 4878-DI050N04BPT-AQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diotec Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DI050N04BPT-AQ
คำอธิบาย	MOSFET, POWERQFN 3X3, N, 40V, 50
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	10 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 50A (Tc) 35.7W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-QFN (3x3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diotec Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	50A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2280 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	35.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-QFN (3x3)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN