Name: DI170SIC850D7
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI170SIC850D7TR-ND
Price: 181.37 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 1700 V 7A (Tc) 62W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DI170SIC850D7
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	4878-DI170SIC850D7TR-ND - เทปและม้วน (TR) 4878-DI170SIC850D7CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 4878-DI170SIC850D7DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diotec Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DI170SIC850D7
คำอธิบาย	SIC MOSFET, TO-263-7L, N, 7A, 17
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	10 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1700 V 7A (Tc) 62W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Diotec Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	7A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	850mOhm @ 2A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	23 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)	+20V, -5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	198 pF @ 1000 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	62W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA