Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 69.01 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1000 V 2.2A (Tc) 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252 (DPAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

DI2A2N100D1K
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - เทปและม้วน (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Diotec Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	DI2A2N100D1K
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1000 V 2.2A (Tc) 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252 (DPAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	DI2A2N100D1K รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Diotec Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 25 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±25V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 510 pF @ 25 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 30W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1000 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ TO-252 (DPAK)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 6.8Ohm @ 1.5A, 10V