EPC2015 EPC | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

EPC2015
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	917-1019-2-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	EPC
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	EPC2015
คำอธิบาย	GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 33A (Ta) ติดบนพื้นผิว ดาย
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	EPC
ชุด	eGaN®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	33A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 9mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11.6 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	+6V, -5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1200 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	ดาย
บรรจุภัณฑ์ / เคส	ดาย
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	EPC20