EPC2619ENGRT EPC | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

EPC2619ENGRT
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	917-EPC2619ENGRTTR-ND - เทปและม้วน (TR) 917-EPC2619ENGRTCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 917-EPC2619ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	EPC
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	EPC2619ENGRT
คำอธิบาย	TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 29A (Ta) ติดบนพื้นผิว ดาย
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	EPC
ชุด	eGaN®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	29A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 5.5mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.3 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	+6V, -4V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1180 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	ดาย
บรรจุภัณฑ์ / เคส	ดาย