Name: FDC855N
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FDC855N-ND
Price: 11.31551 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) ติดบนพื้นผิว SuperSOT™-6

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

FDC855N
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-FDC855N-ND
ผู้ผลิต	Fairchild Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FDC855N
คำอธิบาย	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) ติดบนพื้นผิว SuperSOT™-6
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Fairchild Semiconductor
ชุด	PowerTrench®
บรรจุภัณฑ์	จำนวนมาก
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	6.1A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	27mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	655 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.6W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	SuperSOT™-6
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-23-6 บาง, TSOT-23-6