2SC5415AE-TD-E onsemi | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

2SC5415AE-TD-E
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2SC5415AE-TD-EOSTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	onsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	2SC5415AE-TD-E
คำอธิบาย	RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	rf ทรานซิสเตอร์ NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW ติดบนพื้นผิว PCP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	2SC5415AE-TD-E รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้ว RF
ผู้ผลิต	onsemi
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภททรานซิสเตอร์	NPN
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	12V
ความถี่ - การเปลี่ยน	6.7GHz
ค่าสัญญาณรบกวน (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
อัตราการขยาย	9dB
พลังงาน - สูงสุด	800mW
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	90 @ 30mA, 5V
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100mA
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-243AA
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PCP
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	2SC5415