Name: G180C06Y
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G180C06YTR-ND
Price: 55.93 THB
Availability: InStock

mosfet อาร์เรย์ 60V 50A (Tc), 60A (Tc) 69W (Tc), 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252-4

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

G180C06Y
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	3141-G180C06YTR-ND - เทปและม้วน (TR) 3141-G180C06YCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 3141-G180C06YDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Goford Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	G180C06Y
คำอธิบาย	MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	8 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 60V 50A (Tc), 60A (Tc) 69W (Tc), 115W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Goford Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
การตั้งค่า	N และ P-ช่องสัญญาณ, คอมมอนเดรน
คุณสมบัติของ FET	-
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	50A (Tc), 60A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2V @ 250µA, 4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
พลังงาน - สูงสุด	69W (Tc), 115W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-5, DPAK (4 สาย + แท็บ)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252-4