Name: IRFD9110
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD9110-ND
Price: 17.78151 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IRFD9110
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	2156-IRFD9110-ND
ผู้ผลิต	Harris Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IRFD9110
คำอธิบาย	0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 100 V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) ทรูโฮล 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA
Mfr Harris Corporation	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 200 pF @ 25 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1.3W (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 700mA (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 420mA, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IRFD9110

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ในสต็อก: 7,812

ไม่สามารถยกเลิก/ไม่สามารถคืนได้

ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์

จะทำการจัดส่งประมาณ 10 วัน จาก Rochester Electronics LLC

฿3,103.68 จะมีการคิดแยกค่าธรรมเนียมการจัดส่งแบบเหมาจ่ายต่างหาก

ข้อจำกัดการสั่งซื้อสูงสุด

เพื่อสนับสนุนความต้องการด้านการวิจัยและพัฒนาของลูกค้าทุกท่าน สินค้ารายการนี้จึงมีการกำหนดจำนวนการสั่งซื้อสูงสุด สามารถสั่งซื้อได้ตามจำนวนสูงสุดนี้ทุก ๆ 30 วัน และคำสั่งซื้อที่เกินจำนวนที่กำหนดอาจถูกยกเลิก

จำนวนมาก:

7812

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

จำนวนมาก