Name: AIMBG120R020M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND
Price: 776.57 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

AIMBG120R020M1XTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-AIMBG120R020M1XTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AIMBG120R020M1XTMA1
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	AIMBG120R020M1XTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 82 nC @ 20 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) +23V, -5V
ชุด CoolSiC™	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2667 pF @ 800 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 468W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 104A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-7-12
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 18V, 20V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 25mOhm @ 43A, 20V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน AIMBG120
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.1V @ 15mA