Name: AIMDQ75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R020M2HXTMA1TR-ND
Price: 630.11 THB
Availability: OutOfStock

AIMDQ75R020M2HXTMA1 หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

เทียบเท่าพาราเมตริก

IMDQ75R020M2HXTMA1

Infineon Technologies

มีอยู่ในสต็อค: 0

ราคาต่อหน่วย : ฿602.63000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 750 V 86A (Tc) 340W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HDSOP-22-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

AIMDQ75R020M2HXTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-AIMDQ75R020M2HXTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-AIMDQ75R020M2HXTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-AIMDQ75R020M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AIMDQ75R020M2HXTMA1
คำอธิบาย	AIMDQ75R020M2HXTMA1
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 750 V 86A (Tc) 340W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HDSOP-22-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.6V @ 9.8mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 59 nC @ 18 V
ชุด CoolSiC™	Vgs (สูงสุด) +23V, -7V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2085 pF @ 500 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 340W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 750 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 86A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 15V, 20V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HDSOP-22-1
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 18mOhm @ 44.7A, 20V	บรรจุภัณฑ์ / เคส โมดูล 22-PowerBSOP