Name: AUIRF7759L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7759L2TR-ND
Price: 350.13 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 75 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว DirectFET™ ไอโซเมตริก L8

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

AUIRF7759L2TR
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-AUIRF7759L2TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-AUIRF7759L2TRCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-AUIRF7759L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AUIRF7759L2TR
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 75 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด HEXFET®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 12222 pF @ 25 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ การซื้อครั้งสุดท้าย	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 75 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 375A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส DirectFET™ ไอโซเมตริก L8
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 96A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน AUIRF7759
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 250µA