AUIRFS3107-7P Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

AUIRFS3107-7P
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	AUIRFS3107-7P-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AUIRFS3107-7P
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK (7-ตัวนำ)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	HEXFET®
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	75 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	240A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 160A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	9200 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	370W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	D2PAK (7-ตัวนำ)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-7, D2PAK (6 ตัวนำ + แท็บ)