Name: BC859CE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BC859CE6327HTSA1TR-ND
Price: 9.7 THB
Availability: InStock

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW ติดบนพื้นผิว PG-SOT23

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BC859CE6327HTSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BC859CE6327HTSA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BC859CE6327HTSA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BC859CE6327HTSA1
คำอธิบาย	TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (bjt) PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW ติดบนพื้นผิว PG-SOT23
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BC859CE6327HTSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) ทรานซิสเตอร์สองขั้วเดี่ยว	เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Mfr Infineon Technologies	พลังงาน - สูงสุด 330 mW
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT)	ความถี่ - การเปลี่ยน 250MHz
สถานะผลิตภัณฑ์ การซื้อครั้งสุดท้าย	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
ประเภททรานซิสเตอร์ PNP	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100 mA	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-SOT23
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BC859
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด) 15nA (ICBO)

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (40)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
BC858C-7-F	Diodes Incorporated	4,858	31-BC858C-7-FCT-ND	฿6.47000	Direct
BC858CLT1G	onsemi	484	BC858CLT1GOSCT-ND	฿4.20000	Direct
BC859C,215	Nexperia USA Inc.	2,510	1727-4876-1-ND	฿4.53000	Direct
NSVBC858CLT1G	onsemi	895	NSVBC858CLT1GOSCT-ND	฿5.82000	Direct
2SB1695KT146	Rohm Semiconductor	2,792	2SB1695KT146CT-ND	฿23.60000	Similar