Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

BCR08PNB6327XT | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | BCR08PNB6327XTTR-ND - เทปและม้วน (TR) |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | BCR08PNB6327XT |
คำอธิบาย | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 170MHz 250mW ติดบนพื้นผิว PG-SOT363-PO |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
หมวดหมู่ | เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V |
ผู้ผลิต Infineon Technologies | Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA |
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) | ความถี่ - การเปลี่ยน 170MHz |
สถานะผลิตภัณฑ์ ดำเนินการต่อที่ DigiKey | พลังงาน - สูงสุด 250mW |
ประเภททรานซิสเตอร์ 1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่) | ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว |
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 100mA | บรรจุภัณฑ์ / เคส 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 50V | บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-SOT363-PO |
ตัวต้านทาน - เบส (R1) 2.2kOhm | หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน |
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2) 47kOhm |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | จำนวนที่มีอยู่ | หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | ราคาต่อหน่วย | ประเภทสินค้าทดแทน |
|---|---|---|---|---|---|
| SMUN5335DW1T1G | onsemi | 0 | SMUN5335DW1T1GOSCT-ND | ฿9.05000 | Direct |
| DCX123JU-7 | Diodes Incorporated | 0 | DCX123JUDICT-ND | ฿15.20000 | Similar |
| DCX123JU-7-F | Diodes Incorporated | 26,040 | DCX123JU-FDICT-ND | ฿9.38000 | Similar |
| DCX123JUQ-7-F | Diodes Incorporated | 0 | 31-DCX123JUQ-7-FCT-ND | ฿10.99000 | Similar |
| MUN5335DW1T1G | onsemi | 12,360 | MUN5335DW1T1GOSCT-ND | ฿8.41000 | Similar |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 30,000 | ฿1.39309 | ฿41,792.70 |
| 60,000 | ฿1.28319 | ฿76,991.40 |
| 90,000 | ฿1.22720 | ฿110,448.00 |
| 150,000 | ฿1.16429 | ฿174,643.50 |
| 210,000 | ฿1.13155 | ฿237,625.50 |




