BCR08PNB6327XT Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

BCR08PNB6327XT
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BCR08PNB6327XTTR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BCR08PNB6327XT
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 170MHz 250mW ติดบนพื้นผิว PG-SOT363-PO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
ประเภททรานซิสเตอร์	1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่)
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50V
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	2.2kOhm
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	47kOhm
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	70 @ 5mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	-
ความถี่ - การเปลี่ยน	170MHz
พลังงาน - สูงสุด	250mW
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-SOT363-PO
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BCR08