Name: BCR22PNH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BCR22PNH6327XTSA1TR-ND
Price: 2.15893 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

BCR22PNH6327XTSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BCR22PNH6327XTSA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BCR22PNH6327XTSA1
คำอธิบาย	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ทรานซิสเตอร์แบบ pre-biased bipolar (bjt) 1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่) 50V 100mA 130MHz 250mW ติดบนพื้นผิว PG-SOT363-PO
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BCR22PNH6327XTSA1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ สองขั้ว (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์, แบบมีออฟเซตไบแอสล่วงหน้า
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	การซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภททรานซิสเตอร์	1 NPN, 1 PNP - พรีไบแอส (คู่)
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด)	100mA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด)	50V
ตัวต้านทาน - เบส (R1)	22kOhm
ตัวต้านทาน - ระหว่างอิมิเตอร์และเบส (R2)	22kOhm
เกนกระแสไฟฟ้า DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce	50 @ 5mA, 5V
Vce อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด)	-
ความถี่ - การเปลี่ยน	130MHz
พลังงาน - สูงสุด	250mW
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-SOT363-PO
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BCR22

BCR22PNH6327XTSA1

ติดตามเรา

ข้อมูล

การติดต่อและการสนับสนุน