Name: BSC084P03NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC084P03NS3GATMA1TR-ND
Price: 60.78 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-5

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSC084P03NS3GATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSC084P03NS3GATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSC084P03NS3GATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSC084P03NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSC084P03NS3GATMA1
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-5
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSC084P03NS3GATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.1V @ 105µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 58 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™	Vgs (สูงสุด) ±25V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4785 pF @ 15 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-5
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน BSC084
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V