Name: BSP135H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135H6327XTSA1TR-ND
Price: 61.43 THB
Availability: InStock

N-Channel, โหมดการลดการนำ 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) ติดบนพื้นผิว PG-SOT223-4

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSP135H6327XTSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	BSP135H6327XTSA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) BSP135H6327XTSA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) BSP135H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSP135H6327XTSA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	22 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-Channel, โหมดการลดการนำ 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) ติดบนพื้นผิว PG-SOT223-4
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSP135H6327XTSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	SIPMOS®
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-Channel, โหมดการลดการนำ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	120mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	0V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 94µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	146 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-SOT223-4
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-261-4, TO-261AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	BSP135