BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | FET เดี่ยว, MOSFET

N-Channel, โหมดการลดการนำ 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) ติดบนพื้นผิว PG-SOT-23-3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

BSS169IXTSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	BSS169IXTSA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-Channel, โหมดการลดการนำ 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) ติดบนพื้นผิว PG-SOT-23-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	BSS169IXTSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-Channel, โหมดการลดการนำ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	190mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	0V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	12Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.8V @ 50µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	2.1 nC @ 7 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	51 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	360mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-SOT-23-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3