FF3MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

FF3MR12KM1HOSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-FF3MR12KM1HOSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	FF3MR12KM1HOSA1
คำอธิบาย	MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 375A (Tc) ติดตั้งบนแชสซี AG-62MM
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	FF3MR12KM1HOSA1 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET, MOSFET อาเรย์
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
ชุด	CoolSiC™
บรรจุภัณฑ์	ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
เทคโนโลยี	ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC)
การตั้งค่า	2 N-ช่องสัญญาณ (ฮาฟบริดจ์)
คุณสมบัติของ FET	-
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200V (1.2kV)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	375A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.83mOhm @ 375A, 15V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.15V @ 168mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	1000nC @ 15V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	29800pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / เคส	โมดูล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	AG-62MM
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	FF3MR12