Name: IAUAN04S7N008AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUAN04S7N008AUMA1TR-ND
Price: 105.07 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 40A (Ta), 290A (Tj) 133W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-5-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IAUAN04S7N008AUMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IAUAN04S7N008AUMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IAUAN04S7N008AUMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IAUAN04S7N008AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IAUAN04S7N008AUMA1
คำอธิบาย	IAUAN04S7N008AUMA1
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 40A (Ta), 290A (Tj) 133W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-5-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IAUAN04S7N008AUMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	40A (Ta), 290A (Tj)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	7V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.82mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 60µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5410 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	133W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-HSOF-5-2
บรรจุภัณฑ์ / เคส	5-PowerSFN