Name: IAUC100N08S5N043ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC100N08S5N043ATMA1TR-ND
Price: 96.02 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-34

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IAUC100N08S5N043ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IAUC100N08S5N043ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IAUC100N08S5N043ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IAUC100N08S5N043ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IAUC100N08S5N043ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TDSON-8-34
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IAUC100N08S5N043ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด OptiMOS™ 5	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3860 pF @ 40 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 125W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 100A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TDSON-8-34
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IAUC100
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.8V @ 63µA