Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 79.21 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-LHDSO-10-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IAUCN04S6N017TATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IAUCN04S6N017TATMA1
คำอธิบาย	MOSFET_(20V 40V)
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-LHDSO-10-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IAUCN04S6N017TATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	OptiMOS™ 6
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	58A (Ta), 120A (Tj)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	7V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.73mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3V @ 40µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3250 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	103W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-LHDSO-10-1
บรรจุภัณฑ์ / เคส	10-LSOP (0.216", ความกว้าง 5.48mm) แผ่นสัมผัส