Name: IAUT200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 163.73 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IAUT200N08S5N023ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IAUT200N08S5N023ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) IAUT200N08S5N023ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) IAUT200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IAUT200N08S5N023ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-HSOF-8-1
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IAUT200N08S5N023ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (สูงสุด) ±20V
ชุด OptiMOS™ 5	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7670 pF @ 40 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 200W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 200A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-HSOF-8-1
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerSFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IAUT200
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.8V @ 130µA