Name: IAUZN08S7N046ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN08S7N046ATMA1TR-ND
Price: 92.12 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 80 V 99A (Tj) 94W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-39

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IAUZN08S7N046ATMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IAUZN08S7N046ATMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IAUZN08S7N046ATMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IAUZN08S7N046ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IAUZN08S7N046ATMA1
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 99A TSDSON-8-39
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	35 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 99A (Tj) 94W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSDSON-8-39
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IAUZN08S7N046ATMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3.2V @ 35µA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 35.4 nC @ 10 V
ชุด OptiMOS™ 7	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2265 pF @ 40 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 94W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 80 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 99A (Tj)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 7V, 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TSDSON-8-39
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 30A, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN