IDD03SG60CXTMA1 Infineon Technologies | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

IDD03SG60CXTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	IDD03SG60CXTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IDD03SG60CXTMA1
คำอธิบาย	DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO2523
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	ไดโอด 600 V 3A ติดบนพื้นผิว PG-TO252-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolSiC™+
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ Digi-Key
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide) Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	3A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	2.3 V @ 3 A
ความเร็ว	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	0 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	15 µA @ 600 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	60pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO252-3
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 175°C
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IDD03SG60