Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 90.85 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 15W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSON-4-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IGB110S10S1XTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IGB110S10S1XTMA1
คำอธิบาย	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	25 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2.5W (Ta), 15W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TSON-4-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IGB110S10S1XTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 5V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.9V @ 3mA
ชุด CoolGaN™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 3.4 nC @ 5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±6.5V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 340 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2.5W (Ta), 15W (Tc)
เทคโนโลยี GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A (Ta), 23A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TSON-4-2
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 5V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 4-PowerTDFN