Name: IMBG120R116M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND
Price: 218.87 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMBG120R116M2HXTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IMBG120R116M2HXTMA1
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	45 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
ชุด	CoolSiC™ G2
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	21.2A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	15V, 18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	115.7mOhm @ 6A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5.1V @ 1.9mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14.4 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+23V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	500 pF @ 800 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	123W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	PG-TO263-7-12
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	IMBG120R116