N-ช่องสัญญาณ 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
N-ช่องสัญญาณ 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R116M2HXTMA1

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
448-IMBG120R116M2HXTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR)
448-IMBG120R116M2HXTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
448-IMBG120R116M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IMBG120R116M2HXTMA1
คำอธิบาย
SICFET N-CH 1200V 21.2A TO263
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
49 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 1200 V 21.2A (Tc) 123W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า
หมวดหมู่
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5.1V @ 1.9mA
Mfr
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14.4 nC @ 18 V
ชุด
Vgs (สูงสุด)
+23V, -10V
บรรจุภัณฑ์
เทปและม้วน (TR)
เทปตัดขาย (CT)
Digi-Reel®
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
500 pF @ 800 V
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
123W (Tc)
ประเภท FET
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1200 V
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
PG-TO263-7-12
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
บรรจุภัณฑ์ / เคส
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
15V, 18V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
115.7mOhm @ 6A, 18V
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
ในสต็อก: 1,000
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
เทปตัดขาย (CT) & Digi-Reel®
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿218.87000฿218.87
10฿147.00500฿1,470.05
100฿106.35280฿10,635.28
500฿100.51784฿50,258.92
* คำสั่งซื้อ Digi-Reel ทั้งหมดจะเพิ่ม ฿230.00 เป็นค่าธรรมเนียมการม้วน
เทปและม้วน (TR)
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1,000฿83.46054฿83,460.54
2,000฿82.12224฿164,244.48
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต