Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 835.41 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMBG65R010M2HXTMA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IMBG65R010M2HXTMA1
คำอธิบาย	SILICON CARBIDE MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	61 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) ติดบนพื้นผิว PG-TO263-7-12
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IMBG65R010M2HXTMA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.6V @ 18.7mA
ชุด CoolSiC™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 112 nC @ 18 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) +23V, -7V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 4001 pF @ 400 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 535W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 158A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO263-7-12
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 15V, 20V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA