Name: IMW65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Price: 467.82 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3-41

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMW65R027M1HXKSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IMW65R027M1HXKSA1
คำอธิบาย	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3-41
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	IMW65R027M1HXKSA1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.7V @ 11mA
Mfr Infineon Technologies	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 62 nC @ 18 V
ชุด CoolSIC™ M1	Vgs (สูงสุด) +23V, -5V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2131 pF @ 400 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 189W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO247-3-41
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 47A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-247-3
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 18V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน IMW65R027
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 34mOhm @ 38.3A, 18V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
MSC015SMA070B	Microchip Technology	101	691-MSC015SMA070B-ND	฿578.06000	Similar
TSM60NE048PW C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	300	1801-TSM60NE048PWC0G-ND	฿502.08000	Similar
TSM60NE069PW C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	295	1801-TSM60NE069PWC0G-ND	฿396.37000	Similar