IMW65R039M1HXKSA1
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMW65R039M1HXKSA1

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
448-IMW65R039M1HXKSA1-ND
ผู้ผลิต
Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
IMW65R039M1HXKSA1
คำอธิบาย
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
23 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-3-41
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
IMW65R039M1HXKSA1 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
บรรจุภัณฑ์
ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5.7V @ 7.5mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)
+20V, -2V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1393 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
176W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
PG-TO247-3-41
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

ในสต็อก: 119
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ท่อ
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿308.43000฿308.43
30฿182.16267฿5,464.88
120฿159.96500฿19,195.80
510฿155.81075฿79,463.48
แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน