Name: IMZA120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R030M1HXKSA1-ND
Price: 572.56 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

IMZA120R030M1HXKSA1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	448-IMZA120R030M1HXKSA1-ND
ผู้ผลิต	Infineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	IMZA120R030M1HXKSA1
คำอธิบาย	SIC DISCRETE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	49 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 70A (Tc) 273W (Tc) ทรูโฮล PG-TO247-4-U02
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5.2V @ 11mA
ชุด CoolSiC™	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 68 nC @ 18 V
บรรจุภัณฑ์ ท่อ	Vgs (สูงสุด) +20V, -7V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2160 pF @ 800 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 273W (Tc)
เทคโนโลยี SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	ประเภทการติดตั้ง ทรูโฮล
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 70A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ PG-TO247-4-U02
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 15V, 18V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-247-4